Carbide silicon, còn được gọi là sic, là một vật liệu bán dẫn cơ bản bao gồm silicon tinh khiết và carbon nguyên chất. Chúng ta có thể dope sic với nitơ hoặc phốt pho để tạo thành chất bán dẫn loại N, hoặc với beryllium, boron, nhôm hoặc gallium để tạo thành chất bán dẫn p - loại. Các loại cacbua silic khác nhau có thể được tạo ra bằng cách pha tạp các vật liệu khác nhau.
Phương pháp sản xuất đơn giản nhấtCarbide siliconlà làm tan chảy cát silica và carbon ở nhiệt độ cao lên tới 2500 độ C. Carbide silicon thường chứa tạp chất của sắt và carbon, nhưng các tinh thể sic tinh khiết không màu và được hình thành khi silicon cacbua thăng hoa ở 2700 độ C, Celsius. Do đó, sau khi sưởi ấm, các tinh thể này được lắng đọng trên than chì ở nhiệt độ thấp hơn. Quá trình này cũng được gọi là phương pháp Lely. Đó là, Granit Crucible được làm nóng đến nhiệt độ rất cao bằng cách cảm ứng để siêu phàm bột cacbua silicon. Một thanh than chì có nhiệt độ thấp hơn được treo trong hỗn hợp khí, chính nó cho phép sự lắng đọng của cacbua silicon tinh khiết và sự hình thành của các tinh thể, do đó tạo ra cacbua silicon.
Carbide siliconChủ yếu có ưu điểm của độ dẫn nhiệt cao 120 - 270 W/mk, hệ số giãn nở nhiệt thấp là 4.0x10^-6/° C và mật độ dòng tối đa cao. Kết hợp lại, những lợi thế này mang lại độ dẫn điện rất tốt, rất thuận lợi trong một số trường đòi hỏi độ dẫn nhiệt cao và cao. Với sự phát triển của thời đại, silicon cacbua đã trở thành một vai trò quan trọng trong ngành công nghiệp bán dẫn, cung cấp năng lượng cho các mô -đun năng lượng cho tất cả các ứng dụng hiệu quả cao và năng lượng cao. Mặc dù silicon cacbua đắt hơn silicon, SIC có thể đạt được ngưỡng điện áp gần 10 kV. Carbide silicon cũng có tổn thất chuyển đổi cực thấp, có thể hỗ trợ tần số hoạt động cao và sau đó đạt được hiệu quả cao. Đặc biệt trong các ứng dụng có điện áp hoạt động hơn 600 volt, nếu được triển khai đúng cách, các thiết bị cacbua silicon có thể làm giảm gần 50%tổn thất hệ thống biến đổi và biến tần, giảm kích thước 300%và giảm đáng kể chi phí hệ thống tổng thể.
